Ramtron推出4M 并行非易失性F-RAM存储器FM22LD16

Ramtron International公司近日宣布推出采用精简的FBGA封装的4M F-RAM存储器FM22LD16。FM22LD16是一个容量为4M，3V工作电压，并行非易失性RAM，48脚球状矩阵排列（FBGA）封装，具有快速存取，无限次读写周期和低功耗特性。FM22LD16与异步静态RAM（SRAM）在引脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。 Ramtron的4Mb并行F-RAM还提供了采用44脚TSOP封装的存储器。

Product Features  产品功能

FM22LD16为256K x 16非易失性存储器，具有工业标准并行接口。存取时间为55ns，周期时间为110ns。FM22LD16以总线速度无延迟写入、至少1E14（100万亿）次写次数，以及10年的数据保存期。

这款4M FRAM是标准异步SRAM的直接取代品，但性能远超过SRAM，无需电池即可备份数据，由于其整体结构可靠性更高。FM22LD16是真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤来贴附电池，且与带备用电池的SRAM不同，FM22LD16为高度防潮、抗振动和震动器件。

FM22LD16具有与目前高效能微处理器连接的方便接口，具有高速页模式，可在40MHz频率下实现4字节突发读写操作，总线速度明显高于其他非易失性存储器。FM22LD16与相同密度的非易失性存储器相比，工作电流较低，读写操作时工作电流为8毫安，待机电流为90微安。FM22LD16工作电压为2.7至3.6V，可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作。

价格和供货

符合RoHS标准的48引脚BGA封装的FM22LD16现已提供样品。少量订购单价$23.00起。