Ramtron推出新型F-RAM系列中的首款1Mb产品FM25V10

Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPROM存储器的理想代替产品。此外，Ramtron已计划在2008年陆续推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM产品。

关于FM25V10　
与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V10以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。相比串行闪存和串行EEPROM，FM25V10的耐用性高出8个数量级以上，所消耗的有效功率却不到其十分之一。　　

FM25V10具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用，应用范围从需要写入次数多的高频数据采集应用，到严苛的工业控制应用。而在这些应用中，串行闪存或EEPROM因数据丢失风险，而并不适用。　　FM25V10具有一个只读器件ID，可以通过一个独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号使主机拥有一个ID，以区别于世界上任何其它主机。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。　　

FM25V10可在-40度至+85度的工业温度范围工作，以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA，待机模式耗电仅为90uA，睡眠模式耗电更低至5uA。FM25V10的有功功耗为每MHz 38uA，其电流较同类串行闪存或EEPROM产品低一个数量级。