Vishay推出具有低导通电阻的N沟道MOSFET器件SiR494DP

Vishay推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET^®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。

额定电压12V的SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ。导通电阻与栅电荷的乘积是评价用于DC-DC转换器应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，该器件在4.5V电压下的栅电荷只有85nC。

与对低传导损耗和低开关损耗进行过优化的最接近的竞争器件相比，这些指标表明该器件在10V和4.5V下的导通电阻分别减小了40%和35%，FOM降低了29%。更低的导通电阻和栅电荷意味着更低的传导和开关损耗。

Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低输入电压(5V～3.3V)同步降压转换器、低输出电压(5V，3.3V和更低)OR-ing应用，以及各种采用5V和3.3V输入电压负载点(POL)转换器的系统中的低压侧MOSFET，在这些应用中，新器件的低导通损耗和低开关损耗将能够更有效率地使用能源。

对于低输出电压的应用，12V的栅源额定电压恰好够用，但迄今为止，设计工程师被迫选用20V的器件，尤其是设计者同时需要最低的导通电阻和20V的栅源电压时。SiR494DP是具有这些特性的首款MOSFET：V_DS=12V，V_GS=±20V，在10V栅极驱动下的导通电阻只有1.2mΩ。

新型功率MOSFET采用PowerPAK^® SO-8封装。这款无铅、无卤素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC规范，并100%通过了Rg和UIS测试。