Ramtron推出8位并行非易失性F-RAM存储器FM23MLD16

Ramtron公司推出8兆位(Mb) F-RAM存储器，采用改进型FBGA封装。FM23MLD16是采用48引脚细间距球栅阵列（FBGA）封装的8-Mb、3V并行非易失性RAM，具有访问速度快，几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态RAM（SRAM）兼容，主要针对工业控制系统，如：机器人技术，网络RAID存储解决方案，多功能打印机，自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统设计。

FM23MLD16是512Kx16的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，访问时间为60ns，周期为115ns。该器件以总线速度进行读写操作，NoDelay™方式写时,写入寿命至少为1E14（100万亿）次，并提供10年的数据保存能力。

相比需以电池支持的SRAM(BBSRAM)，FM23MLD16无需电池即可进行数据备份，性能更出众。FM23MLD16是一个真正的表面贴装解决方案，和需要电池支持的SRAM不同,不需要与电池相关的重写步骤，而且具有更高的耐潮性、抗冲击和抗振动能力，使F-RAM成为要求苛刻的工业应用的理想选择。FM23MLD16包含低压监测区块，当电源电压低于临界阈值时，便会阻止对存储器的访问。从而阻止存储器在这种情况下出现的不当访问，避免数据破坏。

此外，FM23MLD16具有通用的与现有高性能微处理器相连的接口，以及高速页面模式，能以高达33MHz的速度进行8字节突发读写操作。FM23MLD16器件的读/写工作电流为9mA，待机电流典型值为180uA。在整个工业温度范围内(-40°C~+85°C)的工作电压为2.7V~3.6V。