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IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET

关键词:IR HEXFET功率 MOSFET

时间:2009-08-18 15:23:00      来源:

功率MOSFET 为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。  

IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。

与其它竞争器件相比,IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。

这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 (MSL1) 。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。

产品的基本规格:

器件编号

封装

电压 (V)

Id (A)

最大RDS(on) (mOhms)

Qg (nC)

IRFB4615PBF

TO220

150

35

39

26

IRFS4615PBF

D2PAK

150

35

39

26

IRFSL4615PBF

TO262

150

35

39

26

IRFB4620PBF

TO220

200

25

72.5

25

IRFS4620PBF

D2PAK

200

25

72.5

25

IRFSL4620PBF

TO262

200

25

72.5

25

现在这些器件已向市场供应。

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