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IR推出高效解决方案IR3522/06为DDR3内存模块提供动力

关键词:IR3522 IR3506 IR 多相位内存

时间:2009-10-21 16:27:00      来源:IR3522,IR3506

IR 推出IR3522和IR3506 XPhase 芯片组,为DDR3多相位内存应用提供全面的功率解决方案。

IR 推出IR3522和IR3506 XPhase ® 芯片组,为DDR3多相位内存应用提供全面的功率解决方案。

新推出的IR3522双输出脉宽调制 (PWM) 控制器内置了I2C接口,为DDR3 VDDQ和Vtt轨提供了全面的系统控制。这款器件能够与任何数目的IR3506相位IC 连接,驱动尽可能多的相位,为任何数量的DDR3双列直插内存模块 (DIMMS) 提供动力,简化了设计,减少了电路板面积,从而节省了整体系统成本。IR3522/IR3506芯片组通过I2C接口在VDDQ和Vtt输出之间提供更灵活的余量,使跟踪功能更加准确。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“全新的XPhase解决方案是为DDR3应用而设计,提供外形更小巧、更灵活、更易于设计的电源,而且无论在轻负载还是满负载下,效率都比传统方法更高。IR3522兼具两方面的优点,将模拟控制的精度与通过I2C实现的电源管理功能可编程性相结合,以实现简单且智能的内存供电。”

IR3522通过I2C兼容接口为VDDC和Vtt输出提供输出电压编程能力,VDDQ设置点误差只有+/-0.5%。IR3506则提供源及汇功能,使Vtt输出到VDDQ的跟踪更为准确。此外,IR3506还支持省电功能 (PSI),实现轻负载条件下最高的效率。

IR3522的功能

IR3522的I2C接口将Vtt跟踪率定为±25%,可提供数字开/关控制。如果系统没有I2C通信,两个ADDR引脚可以用来选择四个I2C地址,而两个VID引脚就可以选择四个不同的VREF1电压。这款器件不仅利用由故障触发启动的Crowbar引脚来驱动外部NMOS器件,实现外部输出电压保护,还可通过软停关断功能来保证VDDR和Vtt跟踪操作。与其它所有的XPhase IC一样,IR3522具有一系列全面的保护功能,包括过流、过压、开放式遥感和开放式控制。

IR3506的功能

IR3506相位IC具有7V/2A栅极驱动器 (4A GATEL汇电流) ,支持无损耗电感电流检测。这款器件还拥有软停关断功能,可确保VDDD和Vtt跟踪操作。IR3506还可在PSI 断言模式操作中提供过流保护、集成自举同步PFET、调试功能、PWM斜率自校准、电流检测放大器,以及均流放大器和单线双向均流共享。

产品的基本规格

控制IC

器件编号

封装

设定点精度

VDD及Vtt 跟踪

Fsw (每相位)

IR3522

32引脚5x5 MLPQ

+/-0.5%(VDDQ)

0.25 – 1.5MHz

相位IC

器件编号

封装

电流检测方法

PSI 功能

源/汇GateH

源/汇GateL

IR3506

16引脚3x3 MLPQ

电感 DCR

2A/2A

2A/4A

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