Powerex 推出 100A双SiC MOSFET模块QJD1210006和QJD1210007

关键词：Powerex 双SiC MOSFET模块 QJD1210006 QJD1210007

时间：2009-11-09 14:35:00 来源：QJD1210006，QJD1210007

“QJD1210006和QJD1210007碳化硅(SiC) MOSFET模块工作温度范围为–40°~200°C，远远超过那些基于硅IGBT的模块

”

QJD1210006和QJD1210007碳化硅(SiC) MOSFET模块工作温度范围为–40°~200°C，远远超过那些基于硅IGBT的模块。该模块采用半桥配置，每个模块有两个开关,每个开关的SiC MOSFET电流为100 A。与同类型的硅IGBT模块（工作在150°C的结温）相比，工作在20kHz时,基于SiC MOSFET模块的传导损耗要低38%，开关损耗要低60%，总功耗降低54%。

两种MOSFET类型具有用于反向恢复的所有碳化硅肖特基二极管的特性。所有器件和连接电极与散热基板隔离，从而简化了系统组装和热管理。这些所有SiC MOSFET器件专为需要低传导和开关损耗的电源系统设计，加强应用于需要高效率、高频率和或高温度。应用于铲车、越野电动车和电源中。（现可供货，QJD1210006样品单价为$9,000，QJD1210007样品单价为$9,200）

Powerex, Inc.

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