中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 
  • 首页 > 新品 > Renesas推出12款用于 隔离DC-DC转换器的功率MOSFET产品

Renesas推出12款用于 隔离DC-DC转换器的功率MOSFET产品

关键词:Renesas DC-DC转换器 功率MOSFET产品

时间:2009-12-16 14:10:00      来源:RJK0454DPB

瑞萨科技将12款面向隔离DC-DC转换器的电压容差范围广(40V、60V、80V和100V)、节能低损耗功率MOSFET投入批量生产

瑞萨科技公司(以下简称瑞萨)宣布推出12款第10代、面向服务器、通信设备和工业设备等应用领域内电源中使用的隔离DC-DC转换器*1的功率MOSFET产品。新型功率MOSFET在降低开关损耗*2、提高能效的同时,还具有很宽的电压容差范围(40V、60V、80V 和 100V)。上述产品将于2009年12月3日起投入批量生产。

这12款新产品采用的第10代制造工艺在早期的、重点实现低导通电阻*2的功率MOSFET(主要用于非隔离DC-DC转换器)上已经得到了普遍认同。此项工艺在进行了优化后,更能实现比瑞萨先前产品低达50%的栅-漏极电荷(Qgd)*3。而栅-漏极电荷正是在功率MOSFET内实现低开关损耗的一个重要特性。此外,新产品所采用的高性能封装(瑞萨科技公司封装编号:LFPAK)还可降低封装电阻、改善散热特性、提升产品性能,从而使隔离DC-DC转换器提高效率、降低能耗。

新型功率MOSFET具有如下特性:

(1)栅-漏极电荷比瑞萨早期的产品约低50%(电压容差为100V的RJK1056DPB)

为了降低隔离DC-DC转换器的能耗,需要栅-漏极电荷(Qgd)较低(这是降低开关损耗的一个重要因素)的功率MOSFET。这12款新型功率MOSFET采用瑞萨第10代针对该应用进行了优化的0.18μm 工艺制造而成。例如,电压容差为100V的RJK1056DPB,其栅-漏极电荷为7.5nC,约为瑞萨早期产品HAT2173H(14.5nC)的一半。

(2)电压容差范围广(40V、60V、80V 和 100V)

隔离 DC-DC 转换器的输入和输出电压取决于所使用的功率MOSFET的电压容差。在隔离元件方面,隔离 DC-DC 转换器由充当输入端的主电源和充当输出端的副电源组成。新型功率 MOSFET 系列包含专门用于满足一次侧需求、电压容差为80V 和100V的产品,以及用于满足二次侧需求、电压容差为40V和60V的产品。用户可以选择最符合其要求的产品。

(3)高性能封装提升了产品性能

新型功率MOSFET采用瑞萨得到普遍认可的LFPAK(瑞萨科技公司封装编号)*4高性能封装。它提供了低封装电阻和出色的散热特性,能够防止元件出现过热的情况。与传统的SOP-8或类似的封装相比,该封装本身就为产品实现了低损耗。从内部直接连接到导线框上,从而降低了封装电感,保证了高频操作的实现。

产品背景资料

近年来,伴随着计算机的不断普及、服务器需求的增长、手机和互联网的推广、通信设备需求的增加,面向这类设备的电源隔离DC-DC转换器的需求也在不断增长。同时,出于对全球变暖和节能需求的考虑,隔离DC-DC转换器和电源的效率提高也越来越重要。这就要求我们降低用于构建隔离DC-DC转换器的功率MOSFET内的开关损耗。

为了满足这种需求,瑞萨生产了低导通电阻MOSFET产品,通过使用槽栅制造工艺和改善封装等来降低损耗。而这些 MOSFET 可用于各种产品。

新型功率MOSFET利用优化的第10代制造工艺来满足对损耗更低的隔离DC-DC转换器的需求。它们将栅-漏极电荷(Qgd)(这是开关损耗的一个关键特性)在瑞萨第8代产品的基础上降低了50%之多。同时,为了满足各种应用的需求,这些产品提供了4种电压容差:40V、60V、80V 和 100V。

注释

1. 隔离DC-DC转换器:一种主要用于服务器和通信设备内的电源装置。一般来说,利用设备从内部将交流电(AC)输入转化为直流电(DC)参考电压,然后再将其转化为个别电路部件专用的DC 电压。从参考电压到特定DC电压的转换是利用电源内的DC-DC转换器来完成的。输入和输出相互隔离的DC-DC转换器叫做隔离DC-DC转换器。

2. 开关损耗和导通电阻:开关损耗是指功率MOSFET在ON和OFF之间切换时发生的功率损耗。导通电阻是指功率MOSFET处于导通状态时的工作电阻。二者均为确定功率MOSFET性能的主要特性,并且两者的数值越低则表示其性能越高。然而,实际上开关损耗和导通电阻之间存在着折中,并且一般来说很难同时在这2方面实现高性能。

3. 栅-漏极电荷(Qgd):它是功率MOSFET的一种特性,表明从OFF切换到ON(或从ON切换到OFF)时栅极充(放)电量。电荷越小,开关时间越短,则开关损耗越低。

4. LFPAK(瑞萨科技公司封装编号):LFPAK代表“loss free package”(无损耗封装)。这种封装由瑞萨科技公司开发而成,并且在批量生产领域得到了一致认同。在这种封装中,MOSFET芯片的顶面和底面与线框相连,电流能够通过它垂直流动。这将封装电阻降低了一半,从传统封装的1m减为现在的0.5m,还可以通过顶面和底面散热来防止芯片发生过热的情况。并且,电感也比采用导线的传统封装低,从而能够实现高频操作。

上述产品名称、公司名称或品牌均为其各自所有者的财产。

典型应用

隔离DC-DC转换器:服务器、通信设备、工业设备等

日本售价  仅供参考

产品名称

产品价格 [含税](日元)

RJK0454DPB、RJK0654DPB、RJK0854DPB、RJK1054DPB

 80

RJK0455DPB、RJK0655DPB、RJK0855DPB、RJK1055DPB

 90

RJK0456DPB、RJK0656DPB、RJK0856DPB、RJK1056DPB

 100

技术指标

Ta = 25°C

产品名称

最大额定值

导通电阻(VGS = 10V)

栅-漏极电荷

栅极电荷

封装

VDSS
 [V]

ID
 [A]

Typ.
 [mW]

Max.
 [mW]

Qgd
 [nC]

Qg
 [nC]

RJK0454DPB

40

40

3.9

4.9

3.0

25

LFPAK

RJK0455DPB

45

3.1

3.8

4.5

34

RJK0456DPB

50

2.6

3.2

6.0

39

RJK0654DPB

60

30

6.5

8.3

4.5

27

RJK0655DPB

35

5.3

6.7

6.5

35

RJK0656DPB

40

4.5

5.6

7.0

40

RJK0854DPB

80

25

10

13

4.5

27

RJK0855DPB

30

8.2

11

6.5

35

RJK0856DPB

35

6.9

8.9

7.0

40

RJK1054DPB

100

20

17

22

4.5

27

RJK1055DPB

23

13

17

7.0

35

RJK1056DPB

25

11

14

7.5

41

 

 

 

 

 

 

 

 

  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:安森美数字助听芯片的创新
  • 时 间:2024.05.09
  • 公 司:安森美

  • 主 题:IO-Link 技术介绍及相关设计解决方案
  • 时 间:2024.05.22
  • 公 司:ADI & Arrow