ST推出单位芯片面积低通态电阻的超结器件STW77N65M5

ST 推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。

这款新器件是STW77N65M5，通态电阻RDS(ON)为38mΩ，采用TO-247封装。意法半导体计划在2010年推出采用Max247封装的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmesh V超结MOSFET技术发布会上，意法半导体公布开发蓝图时曾介绍过这两款产品。STW77N65M5的最大输出电流额定69A，现已全面投入量产。

与常规MOSFET产品和竞争的超结器件相比，意法半导体的MDmesh V技术的单位芯片面积通态电阻最低。更低的损耗给设计带来很多好处，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作温度，最终可提高目标应用的可靠性，如个人电脑和服务器的电源、太阳能转换器、电焊电源和不间断电源设备，导通损耗是影响这些应用能效的要素之一。

在强调超低通态损耗的同时，这些器件还实现了低开关损耗，使各种应用能够在不同的工作条件下提高总体能效。MDmesh V功率MOSFET采用主流的工业标准的封装，包括 TO-220、TO-220FP、I²PAK、D²PAK、DPAK和IPAK。

TO-247封装的STW77N65M5现接受生产订单。