OVT推出1.1微米背面照度像素技术

OVT推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技术。这套全新的 OmniBSI-2 像素架构是数字成像技术发展历史中的重要里程碑，可以为新的成像解决方案提供优越的成像质量，对低照度更为敏感。这个架构还将 OmniVision 的像素产品发展方向延伸至亚微米水平，同时也将带动数字成像技术中的微型化发展。

OmniBSI-2 是 OmniVision 的第二代 BSI 技术，也是第一个利用了 65 纳米设计规则，以 300 毫米铜材料工艺完成的像素技术。这项技术是我们与战略生产合作伙伴台积电协作完成的。在结合了特制的 65 纳米设计规则和新的生产工艺模块之后，这个 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技术达到了行业领先的低照度敏感度，同时还可以大量改善暗电流和最大阱容。OmniBSI-2 特制的像素设计规则可以取得更优越的像素排列、更好的像素隔离，并显著降低像素串扰。这些优势大大超越了第一代 OmniBSI^T技术，可以产生更好的图像质量、增强图像的色彩并改善相机的性能。

台积电拥有世界最大的 CIS 生产能力，并且还拥有行业中最领先的 CIS 技术。在 2009 年，台积电可生产一千万片 8 英寸晶片，比 2008 年增加了 6%。

公司网址：www.ovt.com