“IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻（RDS（on））的IRFH6200TRPbF。
”IR推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借在基准MOSFET技术方面的丰富经验和不断努力，IR推出了结合我们最新一代芯片与PQFN封装技术的MOSFET系列，实现了业界领先的RDS(on) ，继续开创卓越性能的先河。此外，在未来几个月，我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN基准MOSFET产品，以满足客户的需求。”
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 达到了 50nC。
如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求，比现有解决方案使用更少的元件，节省电路板空间及成本。
所有这些新器件均具有低热阻 (<0.5°C/W)，并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平，也不含铅、溴化物和卤素，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
IRFH6200TRPbF产品规格
|
器件编号 |
封装 |
电压 |
最大Vgs |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Rdson max @ Vgs=2.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH6200TRPbF |
PQFN 5x6mm |
20 V |
±12V |
1.2 mΩ |
1.4 mΩ |
100 A |
IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF产品规格
|
器件编号 |
封装 |
电压 |
Rdson max @ Vgs=10 |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Qg typ @ Vgs=4.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH5250TRPbF |
PQFN 5x6mm |
25 V |
1.15 mΩ |
1.7 mΩ |
52 nC |
100 A |
|
IRFH5300TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.4 mΩ |
2.1 mΩ |
50 nC |
100 A |
|
IRFH5301TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.85 mΩ |
2.9 mΩ |
37 nC |
100 A |
|
IRFH5302TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
2.1 mΩ |
3.5 mΩ |
29 nC |
100 A |
有关产品现正接受批量订单。
公司网址：www.irf.com.cn
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