中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 

Toshiba推出高增益50W GaN HEMT功率放大器

关键词:Toshiba 功率放大器

时间:2010-06-09 10:49:31      来源:TGI7785-50L

东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓(GaN)半导体高电子迁移晶体管(HEMT)

Toshiba推出C-BAND SATCOM应用的高增益50W GaN HEMT功率放大器,东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓(GaN)半导体高电子迁移晶体管(HEMT)。

Toshiba 的50W TGI7785-50L是另一个商业C-频段用的GaN HEMT,用于卫星通信应用中,在去年推出的还有120W C-频段放大器,和其它GaN Toshiba Ku-频段器件。

该新器件工作频率为7.7 GHz~8.5 GHz。RF性能规范包括输出功率为47.0dBm (典型值) 以及输入功率为40dBm,线性增益为11.0dB (典型值),以及漏极电流为5.0 Amps(典型值)。

该器件可提高输出功率,有助于在固态功率放大器(SSPA)中减少尺寸和重量,用于SATCOM中。

技术规范50W TGI7785-50L GaN HEMT

产品型号

TGI7785-50L

频率

7.7 - 8.5 GHz

输出功率(典型值)

47.0dBm

线性增益(典型值)

11.0dB

漏极电流, VDS/IDS(典型值.)

24V/ 5 A

效率

33%

封装

7- AA0 4 A

 

价格和供货情况

现可提供TG I7785-50L样品,批量生产预计于2010第三季度,欲获得产品的详细价格,请联系Toshiba代理。

公司网址:http://www.toshiba.com/taec/

TGI7785-50L

  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:BridgeSwitch-2电机驱动器IC:助力冰箱压缩机逆变器效率超98%,待机功耗低于10mW
  • 时 间:2024.08.13
  • 公 司:PowerInt

  • 主 题:Abracon为工业自动化提供被动元器件方案
  • 时 间:2024.08.20
  • 公 司:Abracon