Micron推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存

关键词：Micron DDR2内存

时间：2010-07-30 10:58:34 来源：中电网

“美光科技 (Micron Technology, Inc.)宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。

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美光科技 (Micron Technology, Inc.)宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel^® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的理想存储解决方案。

美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点，反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提高，采用50纳米制程更有助于降低功耗，并减少内存占用（memory footprint）。

美光为客户开发的DDR2内存维持一贯对质量的高要求，提供优异的性能和多种配置、容量和封装的选择。最新型50纳米DDR2系列产品包括：

从512Mb到2Gb多种容量器件可供选择，提供X4/X8/X16封装从1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模块配置传输率高达800 MT/s，为更高的总线速度（Bus Speed）提供迁移路径支持1.55伏特电压，降低内存系统耗电

供货情况：

美光预计于2010年9月开始提供2Gb 50纳米DDR2内存样片，计划于2010年第四季度正式量产。

公司网址：www.micron.com

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