瑞萨电子推出3款新型功率MOSFET产品

高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET（金属氧化物半导体晶体管）产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。

本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存储器的电压转换电路。例如，可作为降压电路，用于将电池提供的12V电压转换为1.05V，以便为CPU所用。随着公司进一步推进第12代生产工艺的小型化，瑞萨电子的新型MOSFET将FOM（品质因数=导通电阻×栅极电荷）在公司现有产品的基础上降低了约40%，这使电压转换过程中的功率损耗大幅降低，从而实现了更高的DC/DC转换器性能。

随着信息与通信产品（如服务器、笔记本电脑和图形卡等）性能的不断提升，其所需的功耗也在不断增加。与此同时，不断降低元件（如CPU、图形处理单元（GPU）、存储器、ASIC）工作电压的发展趋势又导致了电流的增加。这样就需要DC/DC转换器能够处理低压和大电流。除此之外，日益增长的节能环保需求，也提出了降低电压转换过程中的功率损耗与提高转换效率的要求。而瑞萨电子本次所推出的3款第12代功率MOSFET产品因其领先于业内的性能与降低约40%的FOM，满足了上述需求。

新产品所具有的25V电压容差（VDSS）为RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA分别实现了40A、30A和25A的最大电流（ID）。另外，新产品的总品度值（VGS = 4.5V时的标准值）分别为6.84mΩ∙nC、7.83mΩ∙nC和7.2 mΩ∙nC，这比瑞萨电子第10代功率MOSFET（在用作控制功率MOSFET时，其提供了比第11代产品更好的总品度值）降低了约40%。

此外，新产品的栅-漏电荷电容（Qgd），即控制功率MOSFET的主要特性分别为1.2nC、0.9nC和0.6nC，也比瑞萨电子第10代功率MOSFET（利用相同的导通电阻进行测量时）低了约40%。该数值越小表明开关损耗越低，则更有助于大幅提升DC/DC转换器性能和提高能效。

通常，DC/DC转换器具有2个功率MOSFET：一个用于控制，另一个则用于实现同步整流。它们轮流开关以进行电压转换。假设新型RJK0210DPA用于实现控制，同时将瑞萨电子第11代RJK0208DPA用于实现同步整流，那么在将电压从12V转换为1.05V时，其最高功率转换效率则可实现90.6%（在输出电流为18A的情况下）和86.6%（在输出电流为40A的情况下）。（这2个数值均基于300kHz的开关频率和两相配置。）

新产品采用具有出色散热特性、尺寸为5.1 × 6.1 mm、厚0.8mm（最大值）的WPAK（瑞萨电子封装编号）封装。同时，器件下面所装有的压料垫，能够在功率MOSFET工作时将其产生的热量传导至印刷电路板，并且使功率MOSFET能够处理大电流。

今后，瑞萨电子还将不断开发适于各类DC/DC转换器的半导体产品，以进一步实现低损耗和高效率，并为开发出更小巧、更节能的系统做出贡献。

注释1：FOM（品质因数）：FOM是功率MOSFET公认的性能和效率指标。导通电阻（Ron）是功率MOSFET工作时的电阻。该数值越小则表明传导损耗越低。栅-漏电荷电容是让功率MOSFET运行所需的电荷。该数值越小则表明开关性能越高。

价格与供货情况

目前，瑞萨电子的新型RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA功率MOSFET样品已开始提供，其单价分别为0.55、0.46和0.38美元。新产品计划于2010年12月开始批量生产，并预计在2011年7月达到月产量约200万个。

公司网址：www.renesas.com