“全球领先的半导体制造商和世界一流的功率芯片供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码STM),推出全新高性能双极功率晶体管系列的首款产品。新产品集多种卓越性能于一身,包括高输出电流、高集电极-发射极截止电压及超低集电极-发射极饱和电压,是LED驱动、电机驱动器和继电器驱动电路和直流-直流转换器的最佳选择。
”全球领先的半导体制造商和世界一流的功率芯片供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码STM),推出全新高性能双极功率晶体管系列的首款产品。新产品集多种卓越性能于一身,包括高输出电流、高集电极-发射极截止电压及超低集电极-发射极饱和电压,是LED驱动、电机驱动器和继电器驱动电路和直流-直流转换器的最佳选择。
3STR1630是一款采用最新低压平面工艺制造的NPN型晶体管。意法半导体在平面技术工艺中加入一种双金属层制程,可将单元密度提高近一倍,而无需使用复杂的蚀刻设备。
除了将同一芯片上的输出电流提高50%,双金属层制程还可为晶体管实现高达100V的Vceo额定电压,高达300kHz的工作开关频率及有效降低40%的Vce(sat)电压。
作为新系列产品的首款产品,3STR1630拥有最低30V的BVCEO电压,提供在28V截止电压与最小Vce(sat)电压之间的最佳平衡,在hFE值等于50时,等效通态电阻仅为100mΩ。此外,新产品尽管采用紧凑型SOT-23封装,但连续输出电流仍高达6A。
3STR1630现已量产。
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