Vishay接近与环境光光学传感器和功率MOSFET荣获EN-Genius的年度产品奖

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DP ThunderFET^® 80 V功率MOSFET荣获EN-Genius Network (www.en-genius.net)颁发的年度产品奖，该网站在为电子设计工程师提供信息来源方面走在业界前列。

EN-Genius 2010年度产品奖的获奖产品是由EN-Genius主编Paul McGoldrick，以及编辑Lee Goldberg和Alex Mendelsohn从年内公开发布的产品中挑选出来的。

Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光检测领域的最佳研发奖。该器件完整集成了接近与环境光光学传感器，在业内首次将红外滤波器、光PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16bit ADC集成进小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm无引线(LLP)表面贴装封装里。节省空间的VCNL4000支持易用的I²C总线通信接口，能够在各种消费和工业应用中大幅简化设计。

EN-Genius表示：“Vishay将光探测领域的丰富经验应用到这个产品上，对于移动设备的接近检测、显示/键盘对比度控制和调光应用，这款产品在性能和尺寸都堪称完美。产品定价非常合理，在性能表现上也极为出色。”

Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius评为最佳高压功率MOSFET，该MOSFET在制造过程中采用了一种新的为更高电压MOSFET优化的低导通电阻技术。SiR880DP是首款可在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET，采用热增强型PowerPAK^® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V下，典型导通电阻与栅极电荷乘积为161，该数值是衡量DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。

EN-Genius评价：“N沟道SiR880DP的显著特点是兼有高电压等级和4.5V栅极驱动等级，且能提供超低的导通电阻。SiR880DP能在4.5V电压下导通，这样就能用5V PWM IC实现更高频率的转换器，而不需要目前所使用的6V器件。产品定价非常有吸引力，还能让以前的设计在DC-DC转换器中继续发挥余热。”

Vishay获奖产品的链接如下：

http://www.vishay.com/docs/83798 (VCNL4000)

http://www.vishay.com/docs/65702 (SiR880DP)