三星电子在全球率先量产“超高速NAND ”

日前，记者从三星电子得知，从本月起三星电子将在全球率先量产采用“Toggle DDR 2.0”标准的20纳米级(1纳米: 十亿分之一米)超高速MLC NAND Flash，今后NAND Flash全线产品将采用“Toggle DDR 2.0”。

记者了解到，这是三星电子继2009年全球率先量产利用133Mbp传输速度启动的 30纳米级32Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后，今年再次于全球率先量产400Mbps传输速度的 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。 

据悉，Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特点，能够实现400Mbps数据处理速度，比通用NAND Flash快10倍。有分析认为，Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出有望扩大4G智能手机、平板电脑、SSD等高速NAND市场，通过应用新一代规格，Toggle DDR 2.0或将主导整个NAND Flash市场的高速发展。

业内人士表示，64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash是用在搭载比现有速度快一倍的USB 3.0,有望成为SATA(Serial Advanced Technology Attachment)6Gbps 等下一代界面、大容量产品上最合适的NAND Flash 方案。

据推测，智能手机、SSD、存储卡等的生产厂商将从今年下半年开始推出各种基于64Gb高速NAND Flash的高性能、大容量产品，受此影响高速NAND Flash的市场比重有望大幅增长。记者获知，目前20纳米级64Gb MLC NAND Flash不仅生产效率上比去年4月全球率先量产的20纳米级32Gb MLC NAND Flash提高了50% 以上，而且成本竞争力也比30纳米级32Gb MLC NAND Flash提高了2倍以上。 

三星电子半导体事业部存储战略营销部负责人洪完勋副董事长说，“通过这次20纳米级64Gb高速NAND Flash的量产，三星电子将主导高速增长中的4G超高速智能手机甚至大容量6.0Gbps SSD市场”，洪完勋也表示，“今后三星还将适时推出更快的大容量下一代Toggle DDR NAND Flash和解决方案，让消费者能够在更高速的移动设备上尽情体验各种各样的服务”。

根据市场调查机构预测，截止2015年，NAND Flash内存以2010年数量为基准有望实现年均54%的增长速度，64Gb以上的产品比重也将从2010年的3%大幅提高到2012年的70%，实现飞跃增长。