NXP推出超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm，高度仅为0.65 mm，专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。

作为业界首款集成低VCE (sat) BISS晶体管和Trench MOSFET的二合一型产品，PBSM5240PF不但能节省PCB板空间，而且具有卓越的电气性能。

传统的小信号晶体管 (BISS)/MOSFET解决方案通常需要采用两个封装，相比之下PBSM5240PF可减少超过50%的电路板占用面积，使封装高度降低10%以上。此外，DFN2020-6 (SOT1118) 封装还集成了一个散热器，令散热性能提高了25%，从而可支持高至2A的电流，并因此降低了能耗。

PBSM5240PF可用作便携式电池充电电路的一部分，适用于手机、MP3播放器以及其他便携式设备。它也可被用于那些要求最佳散热性能、较高电流支持和占用面积小的负载开关或电池驱动设备中。

积极评价

·恩智浦产品经理Joachim Stange表示：“对于便携式设备领域来说，BISS/MOSFET解决方案的独特之处和魅力所在就是其极小的占位面积、出色的电气性能、散热性能以及无铅封装。这款集成式的封装产品最高可支持40V的电压，非常适合当今日益纤薄化的小型移动设备使用。而对于这类设备，高度和电路板空间是关键的设计考虑因素，每一毫米都至关重要。”

技术参数

PBSM5240PF 小信号晶体管（BISS）和N沟道 Trench MOSFET的主要特性包括：

·集电极大电流能力（I_C和I_CM）

·集电极大电流下拥有高电流增益 (hFE)

·产生热量小，能效高

·极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）

·封装占位仅为2 x 2 mm，可减少印刷电路板尺寸

上市时间

恩智浦PBSM5240PF突破性小信号(BISS)晶体管和N通道Trench MOSFET即将通过全球主要经销商供货。