英飞凌推出汽车电源管理40V P沟道OptiMOS P2芯片

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS™ P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。

新推出的器件系列采用多种标准封装，电流范围为50A至180A，囊括30多个器件型号，其中包括通态电阻最低的车用P沟道40V MOSFET。180A是P沟道工艺的基准。P沟道40V OptiMOS P2产品用作汽车桥式电路中的高边开关，无需额外的电荷泵器件，从而可大幅节约成本，改进电磁干扰性能。新器件与PWM（脉宽调制）控制装置结合使用，可具备优于N沟道 MOSFET的热性能和抗雪崩性能。这使它成为汽车电池反接保护和电机控制应用的理想之选，例如EPS（电动助力转向）电机控制装置、三相电机和H桥电机（如挡风玻璃雨刮器、电动驻车制动装置、空调风扇控制装置和电动水泵以及电动燃油泵等）。

鉴于沟道型MOSFET所具备的成本和能效优势，整个行业都明显看好这种技术。基于英飞凌的第二代沟道工艺，OptiMOS P2器件具备低栅极电荷、低电容、低开关损耗、大电流和出色的性能系数指标（性能系数：RDS(on)  x Qg），从而使电机具备高能效，同时最大程度地降低电磁辐射。例如，仅2.4mΩ的行业最低通态电阻（采用D2PAK封装，电压10V）不足市场上同类MOSFET的三分之一。

通过推出全新的P沟道40V器件，英飞凌壮大了适用于采用桥式配置的电机控制装置的产品阵容。这种采用桥式配置的电机控制装置广泛应用于各种汽车系统。桥式配置需要高边MOSFET和低边MOSFET。相对于N沟道MOSFET，新型P沟道器件不需要额外的电荷泵执行驱动直流有刷电机或直流无刷三相电机的高边开关的功能。这可节省成本，因为P沟道也可通过一个简单的驱动电路驱动。对于H桥电机而言，平均可节省大约5%至10%的成本。

举例来说，传统的液压助力转向系统依靠发动机提供动力，这意味着电机必须持续不断地运行。对于电动助力转向系统而言，只是在需要助力时才使用电机，这有助于降低油耗。利用电控水和油泵代替液压水和油泵还可使车身重量减轻多达4公斤，从而提高燃油效率。从环保的角度而言，电动泵也具备优势，因为在车辆回收时没有什么油需要处理。此外，电动水泵绝对是混合动力汽车必备的装置。

在MSL1 （潮湿敏感度等级1）条件下，采用结实耐用封装（Robust Package）的OptiMOS P2器件可承受高达260 °C的回流焊接温度。OptiMOS P2器件还采用符合RoHS标准的无铅电镀的要求。这种功率MOSFET完全符合汽车电子委员会的AEC-Q101规范。

英飞凌公司网站： www.infineon.com