“IR推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
”国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“采用TSOP-6封装的IR全新功率MOSFET系列，与采用SOT-23和SO-8封装的现有器件相辅相成，为客户设计系统提供了更大的灵活性。这个平台拥有极低的导通电阻，因而这些新器件能够取代封装尺寸较大的MOSFET，有助于减少电路板面积和系统成本。”
所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)，不含铅、溴化物和卤素。
产品规格|
器件编号 (- TRPbF) |
BVDSS |
VGS 最大值 |
25ºC 时的最大Id |
典型/最大导通电阻(mΩ) | ||
|
10V |
4.5V |
2.5V | ||||
|
IRFTS9342 |
-30V |
20V |
5.9A |
31/39 |
53/66 |
NA |
|
IRLTS2242 |
-20V |
12V |
6.9A |
N/A |
26/32 |
45/55 |
|
IRLTS6342 |
30V |
12V |
7.8A |
12/20 |
15/24 | |
|
IRFTS8342 |
30V |
20V |
8.2A |
15/19 |
22/29 |
N/A |
新器件正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站www.irf.com。
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