罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）近日面向车载、电源设备，开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比，可降低约40%的功耗，非常有助于电动车（EV）和混合动力车（HEV）等要求更低功耗的电路节能。

本产品已从1月份开始销售样品（样品价格50～200日元／个），从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地，前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.（日本冈山县），后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（马来西亚），ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.（泰国）、ROHM Korea Corporation（韩国）进行。

高温环境下使用的车载、电源设备的电路中，由于担心热失控，因此普遍采用整流二极管和快速恢复二极管（FRD）。但是由于整流二极管和FRD的V_F值较高，因此很难实现EV和HEV所要求的更低功耗。在这种背景下，V_F值较低的肖特基势垒二极管（SBD）在高温环境下亦可安全使用的产品的开发需求逐年高涨。

此次，罗姆通过采用最适合高温环境的金属，实现了业界顶级低I_R化。与传统的SBD相比，I_R降低到约1/100，使高温环境下的使用成为可能。

由此，整流二极管和FRD的替换成为可能，V_F特性得以大幅改善（与传统的FRD相比，V_F降低约40％）。另外，更低V_F可以抑制发热，成功实现小型化封装，有助于不断电子化、小型化需求高涨的EV、HEV节省空间。

罗姆今后还会进一步推进整流二极管的替换带来的低V_F化、小型化，不断为提高车载、电源设备的效率做出贡献。

＜特点＞

1）  与传统产品相比，损耗约降低40％

与一般用于车载的FRD相比，V_F降低约40％。有助于降低功耗。

2）  小型封装有助于节省空间

与传统产品相比，可实现小一号尺寸的封装设计。

3）  高温环境下亦无热失控

实现了超低I_R，因此Ta=150℃也不会发生热失控，可在车载等高温环境下使用。

＜规格＞

＜术语解说＞

・肖特基势垒二极管（Schottky-Barrier Diode：SBD）

使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可得到整流性（二极管特性）的二极管。具有“正向压降少、开关速度快”的特点。主要用于开关电源等。

・快速恢复二极管（Fast Recovery Diode： FRD）

正向施加的电压向反向切换时，反向电流瞬间流过。这种电流到零之间的时间―即反向恢复时间快的一种二极管。

・V_F ( Forward Voltage)

是指正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。

・I_R（Reverse Current）

是指施加反向电压时发生的反向电流。数值越小功耗越少。

・热失控

反向损耗超过散热，损耗进一步增加，产品温度呈指数级上升的状态。