“Vishay其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。
”日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。
今天发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导损耗和开关损耗，从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。
器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲，保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。
器件规格表：
|
型号 |
VBRDSS (V) |
ID @ 25 ºC (A) |
RDS(ON) max. @ Vgs = 10 V (mΩ) |
Qg typ @ Vgs = 10V (nC) |
封装 |
|
SiHP7N60E |
600 |
7 |
600 |
20 |
TO-220 |
|
SiHF7N60E |
600 |
7 |
600 |
20 |
TO-220 FullPAK |
|
SiHD7N60E |
600 |
7 |
600 |
20 |
DPAK/TO-252 |
|
SiHU7N60E |
600 |
7 |
600 |
20 |
IPAK/TO-251 |
|
SiHP12N60E |
600 |
12 |
380 |
29 |
TO-220 |
|
SiHF12N60E |
600 |
12 |
380 |
29 |
TO-220 FullPAK |
|
SiHB12N60E |
600 |
12 |
380 |
29 |
D2PAK/TO-263 |
|
SiHP15N60E |
600 |
15 |
280 |
38 |
TO-220 |
|
SiHF15N60E |
600 |
15 |
280 |
38 |
TO-220 FullPAK |
|
SiHB15N60E |
600 |
15 |
280 |
38 |
D2PAK/TO-263 |
|
SiHP22N60E |
600 |
22 |
180 |
57 |
TO-220 |
|
SiHB22N60E |
600 |
22 |
180 |
57 |
D2PAK/TO-263 |
|
SiHF22N60E |
600 |
22 |
180 |
57 |
TO-220 FullPAK |
|
SiHG22N60E |
600 |
22 |
180 |
57 |
TO-247AC |
|
SiHP30N60E |
600 |
30 |
125 |
85 |
TO-220 |
|
SiHB30N60E |
600 |
30 |
125 |
85 |
D2PAK/TO-263 |
|
SiHF30N60E |
600 |
30 |
125 |
85 |
TO-220 FullPAK |
|
SiHG30N60E |
600 |
30 |
125 |
85 |
TO-247AC |
|
SiHW30N60E |
600 |
30 |
125 |
85 |
TO-247AD |
|
SiHB33N60E |
600 |
33 |
99 |
100 |
D2PAK/TO-263 |
|
SiHP33N60E |
600 |
33 |
99 |
100 |
TO-220 |
|
SiHG33N60E |
600 |
33 |
99 |
100 |
TO-247AC |
|
SiHW33N60E |
600 |
33 |
99 |
100 |
TO-247AD |
|
SiHG47N60E |
600 |
47 |
99 |
147 |
TO-247AC |
|
SiHW47N60E |
600 |
47 |
64 |
147 |
TO-247AD |
|
SiHG73N60E |
600 |
73 |
64 |
241 |
TO-247AC |
|
SiHW73N60E |
600 |
73 |
39 |
241 |
TO-247AD |
*备注：粗体的器件是E系列的新增型号。
这些新款功率MOSFET现可提供样品，量产订货的供货周期为十六周到十八周。
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