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IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台,提供适合工业应用的基准效率和耐用性

关键词:IR推出第八代1200V IGBT技术平台

时间:2012-11-16 15:35:42      来源:中电网

全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频,以期更有效地使用电能及绿化环境。”

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能,有助于把dv/dt降到最低,从而减少电磁干扰、抑制过压,从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄,在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时,可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。

潘大伟补充道:“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能,使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”

欲了解更多信息,请浏览IR网站 www.irf.com

产品规格

IR 器件编号

VCES

IC (NOM)

VCE(ON) (典型)

封装

IRG8CH15K10F

1200V

10A

1.7

膜上裸片

IRG8CH20K10F

15A

IRG8CH29K10F

25A

IRG8CH38K10F

35A

IRG8CH42K10F

40A

IRG8CH50K10F

50A

IRG8CH76K10F

75A

IRG8CH97K10F

100A

IRG8CH137K10F

150A

IRG8CH182K10F

200A


产品供应

IR Gen8 1200V IGBT平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商 (OEM) 及原始设计制造商 (ODM) 合作伙伴。



- 完 -

IR简介

国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn

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