“飞兆半导体通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。
”飞兆半导体通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。
通过将 MOSFET 和二极管集成到一个独立封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。
该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。
主要功能：
FDD1600N10ALZD:
RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A 低栅极电荷 = 2.78 nC（典型值） 低反向电容 (Crss) = 2.04 pF（典型值）FDD850N10LD:
RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A 低栅极电荷 = 22.2 nC（典型值） 低反向电容 (Crss) = 42 pF（典型值）都有：
快速开关 100%经过雪崩测试 可提高dv/dt处理能力 符合 RoHS 标准报价:（订购 1,000 个）
FDD1600N10ALZD的价格为0.49美元。
FDD850N10LD的价格为0.57美元
可供貨期: 按请求提供样品。
交货期: 收到订单后 8-12 周内
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