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Vishay发布新款具有“R”失效率的QPL钽氮化物薄膜片式电阻

关键词：Vishay “R”失效率 QPL钽氮化物薄膜片式电阻 E／H（Ta2N）

时间：2013-07-01 10:32:20 来源：中电网

“Vishay 推出通过MIL-PRF-55342认证的新系列QPL表面贴装片式电阻---E/H(Ta2N)，该电阻具有公认的高可靠性，失效率达到每1000小时0.01%的“R”级。

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Vishay 推出通过MIL-PRF-55342认证的新系列QPL表面贴装片式电阻---E/H(Ta₂N)，该电阻具有公认的高可靠性，失效率达到每1000小时0.01%的“R”级。新款E/H(Ta₂N)电阻采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造，为军工和航天应用提供了更好的规格指标，包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。

今天推出的Vishay Dale薄膜QPL电阻适用于军工和航天应用的控制系统，在这些场合下，工作过程中的潮气或长时间存放都是需要考虑的问题。器件的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮能力超过MIL-PRF-55342规定限值的50倍。

E/H(Ta₂N)薄膜电阻具有小于25dB的超低噪声，以及低至0.5ppm/V的电压系数。电阻的卷绕端接采用牢固的粘附层，覆盖一层电镀镍栅层，使器件可在+150℃温度下工作，而粘附层产生的电阻还不到0.010Ω。

器件有M55342/01～M55342/12共12种外形尺寸，功率等级为50mW～1000mW，工作电压为30V～200V，根据公差，阻值范围49.9Ω～3.3MΩ。

E/H (Ta₂N)薄膜电阻现已量产，供货周期为八周到十周。

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