ST推出业界首款采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5

STM）推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101汽车级MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高压脉冲环境中，650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款器件导通电阻 (RDS(ON)) 极低，分别为0.032Ω 和0.049Ω，结合紧凑的TO-247封装，可提高系统能效和功率密度。

新产品的市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh™ V 超结(super-junction)技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS(ON) 极低的高压器件，使芯片的封装尺寸变得更小。栅电荷(Qg)和输入电容也极低，因此，Qg x RDS(ON)品质因数 (FOM，figure of meric)极其出色，开关性能和能效异常优异。此外，优异的抗雪崩（avalanche）性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。

MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式工艺和经过市场检验的PowerMESH™水平式架构，导通电阻较同级别的MDmesh™ II器件降低大约50%。

意法半导体的采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET现已量产。