关键词:Vishay TrenchFET Gen III P沟道 MOSFET 导通电阻
时间:2013-09-05 17:27:27 来源:中电网
“Vishay扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
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Vishay扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
对于电源管理中的负载和电池开关,以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关,-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的极低导通电阻。-20V SiA437DJ的导通电阻为14.5mΩ(-4.5V),-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外,SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A,承受很大的涌入电流,可用于负载开关。
器件的低导通电阻使设计者能在其电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,并延长电池寿命,同时这些器件的超小PowerPAK SC-70封装可以节省宝贵的电路板空间。对于小型负载点(POL)DC/DC和其他同步降压应用,MOSFET的P沟道技术不需要使用电平转换电路或“自举”器件,简化了栅极驱动的设计。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ进行了100%的Rg测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。
器件规格表:
编号 |
VDS (V) |
VGS (V) |
RDS(ON) (mΩ) @ | ||||
−10 V |
−4.5 V |
−2.5 V |
−1.8 V |
−1.5 V | |||
SiA467EDJ |
-12 |
8 |
- |
13 |
19.5 |
40 |
- |
SiA437DJ |
-20 |
8 |
- |
14.5 |
20.5 |
33.0 |
65.0 |
SiA449DJ |
-30 |
12 |
20 |
24 |
38 |
- |
- |
SiA483DJ |
-30 |
20 |
21 |
30 |
- |
- |
- |
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
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