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Vishay推出TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

关键词:Vishay TrenchFET Gen III P沟道 MOSFET 导通电阻

时间:2013-09-05 17:27:27      来源:中电网

Vishay扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

Vishay扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

对于电源管理中的负载和电池开关,以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关,-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的极低导通电阻。-20V SiA437DJ的导通电阻为14.5mΩ(-4.5V),-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外,SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A,承受很大的涌入电流,可用于负载开关。

器件的低导通电阻使设计者能在其电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,并延长电池寿命,同时这些器件的超小PowerPAK SC-70封装可以节省宝贵的电路板空间。对于小型负载点(POL)DC/DC和其他同步降压应用,MOSFET的P沟道技术不需要使用电平转换电路或“自举”器件,简化了栅极驱动的设计。

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ进行了100%的Rg测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表:

编号

VDS (V)

VGS (V)

RDS(ON) (mΩ) @

−10 V

−4.5 V

−2.5 V

−1.8 V

−1.5 V

SiA467EDJ

-12

8

-

13

19.5

40

-

SiA437DJ

-20

8

-

14.5

20.5

33.0

65.0

SiA449DJ

-30

12

20

24

38

-

-

SiA483DJ

-30

20

21

30

-

-

-

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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