LAPIS的DRAM系列增128M/256M bit SDRAM

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor，作为高可靠性 DRAM系列产品，新开发出搭载输出驱动能力调节功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭载了4级输出驱动能力调节功能，可根据用户系统调节电流驱动能力，降低辐射噪声，从而可减少噪声对策零部件与阻尼电阻元件的数量。另外，引线框架采用焊接连接可靠性更高的铜(Cu)框架，因此，还非常适用于车载设备等要求高可靠性的用途。本产品的样品已经在售，计划从2014年3月份开始以月产100万个的规模开始量产销售。

＜背景＞

在中小容量SDRAM的用途之一车载设备系统中，工作时发生的辐射噪声会对高频段等产生影响，因此，对于提升系统品质来说，降低辐射噪声成为重要课题。LAPIS Semiconductor着眼于该课题，为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，早在以往产品16M bit /64M bit SDRAM上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。该功能在车载领域获得极高好评，为扩大在需要更大容量SDRAM的用途中的应用范围，LAPIS Semiconductor开发了128M bit 、256M bit SDRAM。

另外，DRAM的主流产品逐渐向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM发展，中小容量SDRAM的供应越来越不稳定。LAPIS Semiconductor将中小容量的SDRAM定位为传统DRAM^注1，作为唯一可长期供货的日本国内制造商，不仅面向车载用途市场，而且面向更广阔的工业设备市场，正在不断完善产品的产品阵容。

＜新产品详情＞

1．搭载输出驱动能力调节功能

为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，

搭载变更读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。通过扩展模式寄存器

配置可设定4级驱动能力。

本功能有助于实现适合用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策

零部件数量。另外，可按出货时固定规格的驱动能力设定供货，即使使用已有的SDRAM

控制器无需配置扩展模式寄存器，即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。

2．采用铜引线框架

为满足车载设备领域的与PCB板之间的高可靠性焊接连接性的要求，本产品采用连接可靠

性优异的铜(Cu)引线框架。与以往的42合金引线框架相比，其与PCB板的热膨胀系数更

相近，因此，提高了焊接连接可靠性，满足了汽车厂家要求的PCB板贴装状态下的热膨胀

循环标准。另外，还同时抑制了锡晶须不良的发生。

3．满足车载品质

为实现高品质，支持定制符合客户要求品质的测试工序。

4．芯片销售遵循KGD(Known Good Die)保证

从晶圆级保证与封装产品同等的品质，通过与客户的使用方法相匹配的测试工序，提供高

品质的芯片产品。

LAPIS Semiconductor今后也会以不断推出客户放心使用的高可靠性SDRAM产品并长期稳定供应为目标，进一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不断扩充传统DRAM^注1产品的阵容。

【销售计划】

・产品名：MD56V72160C / MD56V82160A

・包装形态：托盘1080个

・样品出售时间：样品出售中

・样品价格（参考）：MD56V72160C 　360日元（不含税）　

MD56V82160A 　520日元（不含税）

・量产出售计划：2014年3月开始

【产品概要/特点】

・规格：满足JEDEC标准规格

・存储器结构  ：4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)

4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)

・地址大小：4,096行 × 512列(MD56V72160C)

  8,192行 × 512列(MD56V82160A)

・工作频率     ：166MHz(max.)

・接口 ：LVTTL兼容

・功能：通用SDRAM指令接口

・电源电压 ：3.3V±0.3V

・工作温度范围 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃　

・刷新 ：自动刷新时　4,096次/64msec(MD56V72160C)

8,192次/64msec(MD56V82160A)

自刷新　

・消耗电流(Typ.)   ：工作时(166MHz)   100mA (MD56V72160C)

150mA (MD56V82160A)

待机时(动态待机时) 50mA (MD56V72160C)

                   65mA (MD56V82160A)

关机时 3mA

・封装 ：54Pin TSOP

铜引线框架、满足RoHS指令、无铅、无卤

【术语解说】

注1　传统DRAM

DRAM市场随着电脑和手机的高性能化发展，主流产品逐渐转变为大容量、高速DRAM，中小容量DRAM的供应厂家日益减少。然而，消费电子设备和车载设备等产品中，从噪声设计角度等出发，适用中小容量、中速DRAM的应用大量存在。另外，通信设备和工业设备等生命周期较长的产品中，从控制器变更等设计变更较难或想控制设计变更费用等角度出发，存在希望继续使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor将这些中小容量DRAM定位为“传统DRAM”，不断开发满足车载市场和工业设备市场需求的高可靠性新产品，以进一步扩充传统DRAM的产品阵容，为客户提供长期稳定供应。