“升特公司今天宣布,其利用IBM 的32nm SOI 技术开发的64GSPS ADC 和DAC 初级核现已上市,可用于高性能片上系统(SoC)集成解决方案。
”升特公司今天宣布,其利用IBM 的32nm SOI 技术开发的64GSPS ADC 和DAC 初级核现已上市,可用于高性能片上系统(SoC)集成解决方案。此类器件可用于包括光通信、雷达和电子战系统在内的先进通信系统;基于低功耗、小面积区域的大瞬时带宽,此类超高速数据转换器可使操作过程更加灵活,实现并行多波段/多波束运行,并可提供极高的动态性能,使之成为高度过采样系统的理想选择。32nm 数据转换器核是升特公司数据转换器核产品规划中的首个产品,该规划还包括用于14nm FinFET 的数据转换器核系列产品,有望于2015 年底上市。
升特公司首席系统架构师 Craig Hornbuckle 表示:“我们认为,利用IBM 公司32nm SOI 工艺及其独特功能集开发出的先进ADC 和DAC 核足以应对下一步高性能通信系统(如:400 Gb/s 光系统和先进雷达系统)发展带来的挑战。同时,我们看到,现有射频通信市场中出现的扩展应用:高速数字逻辑电路正在替换那些传统的灵活性差的模拟电路。”
ADC 核的面积为4 mm2,DAC 核的面积为2.2 mm2。此类器件中包含一个宽调谐毫米波合成器,可以使ADC 核或DAC 核调整每个通道的采样速率从42 GS/s 到68 GS/s,并保持45 飞秒均方根抖动值。一个完整的双通道2x64 GS/s ADC 核每秒可产生1280 亿次模数转换,总功耗为2.1 瓦,而双通道DAC 核功耗为1.7 瓦。此类器件可实现5.8 有效位数,高达10 GHz 及大于43 dB 的SFDR。此外,此类器件具有必要的BIST 和校准功能,因此用户无需再进行复杂的生产测试或任务模式校准运算。
价格与供货
ADC 和DAC 核现已获得相关许可,可作为IP 核销售。
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