中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 
  • 首页 > 新品 > NXP推出采用CFP15 (SOT1289)封装的10 A、45 V肖特基势垒整流器

NXP推出采用CFP15 (SOT1289)封装的10 A、45 V肖特基势垒整流器

关键词:NXP PMEG45U10EPD PMEG45A10EPD CFP15 SOT1289 肖特基势垒整流器

时间:2014-05-08 15:51:28      来源:中电网

NXP推出首批采用全新CFP15 (SOT1289)封装的10 A、45 V肖特基势垒整流器PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD。

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日推出首批采用全新CFP15 (SOT1289)封装的10 A、45 V肖特基势垒整流器PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD。全新的Clip FlatPower Package (CFP)封装(针对15 A的IF最大值设计)具有极为紧凑的外形尺寸,主体尺寸为4.3 mm x 5.8 mm,高度仅为0.8 mm,比现今市场上出售的引脚兼容型PowerDI5和SMPC (TO-277A)整流器封装还要薄。由于外形尺寸小且具有高电气性能,因此PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD成为新一代智能电话和平板电脑电源适配器的最佳选择。其应用包括SMPS/DC-DC转换器、极性保护和高速开关。

在正向电流为10 A且结点温度为85°C时,全新的10 A肖特基整流器提供仅350 mV大小的低正向压降,因而能达到快速充电周期所需的更高效率等级和高输出功率额定值。凭借高峰值电流能力以及保证高于45 V的击穿电压,这两款全新器件满足输出电压为5 V、功率高达15 W的充电器的安全要求。PMEG45A10EPD针对低VF和低IR进行优化,在1 V电压下的电容仅为900pF(典型值)。PMEG45U10EPD针对最低VF进行优化,在1 V电压下的电容额定值为1200pF(典型值)。

CFP15封装设计具有坚固夹片和外露式热沉,有助于降低封装的热阻,将热量充分传递到周围环境,从而实现更小更薄的充电器设计。封装引线的前端也是100%可焊镀锡的,因而支持光学焊点检查。

恩智浦二极管产品市场经理Wolfgang Bindke表示:“恩智浦已开发出的全新CFP15封装能提供厚度更薄的备选产品,从而进一步丰富市场上的紧凑型高功率肖特基整流器产品。在2014年到2015年期间,我们将通过进一步推出最高电压为60 V、最高电流为15 A的肖特基整流器来拓宽该产品组合。电源适配器以及汽车供应商渴望在今后几年中看到体积更小、效率更高的模块问世。”

上市时间

采用CFP15封装的全新45 V、10 A肖特基整流器PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD现已量产并即将上市。

  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:PIC®和AVR®单片机如何在常见应用中尽展所长
  • 时 间:2024.11.26
  • 公 司:DigiKey & Microchip

  • 主 题:盛思锐新型传感器发布:引领环境监测新纪元
  • 时 间:2024.12.12
  • 公 司:sensirion

  • 主 题:使用AI思维定义嵌入式系统
  • 时 间:2024.12.18
  • 公 司:瑞萨电子&新晔电子