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IDT推出一款新的低失真、低功耗射频(RF)混频器F1178

关键词:IDT 低功耗射频混频器 F1178 LTE TDD 低失真的射频技术

时间:2014-11-11 09:50:30      来源:中电网

IDT公司推出一款新的低失真、低功耗射频(RF)混频器F1178,可为LTE和TDD系统提供低失真的射频技术,同时降低系统的功耗。在IDT公司快速增长的RF产品系列中,新增加的F1178可改进IP3O多达8 dB,相对于竞争的混频器产品,F1178可降低功耗达30%。

IDT公司(IDT®)(NASDAQ:IDTI)今天宣布推出一款新的低失真、低功耗射频(RF)混频器F1178,可为LTE和TDD系统提供低失真的射频技术,同时降低系统的功耗。在IDT公司快速增长的RF产品系列中,新增加的F1178可改进IP3O多达8 dB,相对于竞争的混频器产品,F1178可降低功耗达30%。

作为IDT公司 “零失真”双混频器系列中的一员,IDT F1178是一款以5V单电源供电的高性能RF至中频(IF)混频器。该混频器经设计优化工作于3300 - 3800 MHz RF频段的接收器,理想适用于基站无线卡、中继器、分布式天线系统和微波设备等等。

IDT F1178具有极低的功耗,可减轻对射频卡的散热要求,其超高IP3可用于高增益前端。从电源加电开始,F1178可以保持本振LO的阻抗恒定, 从而可以具有快速的建立时间, 用户可以在TDD接收时隙之间关掉混频器,从而进一步降低功耗。

IDT公司无线产品定义和市场营销高级总监Chris Stephens评论说:“IDT公司广受欢迎的双混频器产品系列中新增业界期待的新产品,客户可以依靠我们产品的高性能快速设计部署3.5 GHz频段的解决方案。F1178凭借其极低的IM3失真,可显著改善射频卡的性能。客户采用F1178双混频器,就像他们在较低频带采用我们的混频器一样,可以用较高的RF增益运行他们的系统以提高信噪比,同时保持优良的IM3失真。”

F1178可提供如下高性能:

大于44 dB 的出色信道隔离
针对TDD系统的掉电下快速恢复
针对频段42、43的3300 - 3800 MHz RF工作范围
9.0 dB增益
+38 dBm IP3O超高线性
9.0 dB低噪声 NF
200Ω输出阻抗
高+10.7 dBm P1dBI
与IDT公司较低频率双混频器引脚兼容
小于1.4W的低功耗

产品供货

F1178目前已经开始向客户提供样片。

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