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IR推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET

关键词：IR 4×5 PQFN 功率模块封装 IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET

时间：2014-12-18 10:15:54 来源：中电网

“IR推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。

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IR推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。

IRFH4257D采用IR的新一代硅技术和封装专利技术，以紧凑的4×5功率模块提供卓越的热性能、低导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (Qg) ，带来一流的功率密度和更低的开关损耗。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“与IR的其它FastIRFET器件一样，IRFH4257D可与各种控制器或驱动器共同操作，为单相位或多相位应用提供灵活的设计，同时实现更高的电流、效率和频率。随着 IRFH4257D加入IR的功率模块系列，设计师可选择能满足其设计要求的 4×5或5×6 PQFN封装。”

IRFH4257D符合工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准，所采用的物料清单环保、不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

规格

器件

PQFN

封装尺寸

电流

额定值

4.5V下的典型/

最大导通电阻

4.5V下的典型Q_G (nC)

4.5V下的典型Q_GD (nC)

IRFH4257D

4x5

25A

3.7 / 4.6

1.65 / 2.1

3.4

7.6

产品现正接受批量订单。

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