“Vishay推出一款新的薄膜条MOS电容设计用于高功率混合动力总成和SiC和GaN的应用。威世戴尔电阻电薄膜BRCP提供高功率处理和操作电压高达100伏两种紧凑的外形尺寸测量120万35万（案例A）和240万35万（情况B），允许使用更小的产品设计在不牺牲性能。
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日前，Vishay Intertechnology公司（NYSE股市代号：VSH）宣布推出一款新的薄膜条MOS电容设计用于高功率混合动力总成和SiC和GaN的应用。威世戴尔电阻电薄膜BRCP提供高功率处理和操作电压高达100伏两种紧凑的外形尺寸测量120万35万（案例A）和240万35万（情况B），允许使用更小的产品设计在不牺牲性能。
凭借其高工作电压在5 pF至100 pF和其强大的MOS结构的电容范围，今天发布的器件针对LC，RC，或者LRC滤波器优化; RF窒息;和DC阻断和阻抗匹配。对于这些应用，BRCP可以容纳多个引线键合，七债券情况A，并在他们的最低值15债券情况B。
酒吧电容具有低TCC低至±50 PPM /°C和绝对容差低至±5％。该器件可提供出色的负载寿命稳定性，工作在-55°C至+150°C的宽温度范围。
样品及量产批量BRCP吧MOS电容器现可提供，与10周大订单的供货周期。
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