Cree公司推出替换雷达系统行波管放大器的GaN HEMT器件

北卡罗来纳州达勒姆，美国Cree公司公司日前推出了两款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）射频设备被认为解决了许多雇用传统行波管雷达系统长期存在的问题是（TWT）放大器。 GaN系固态放大器在50V操作不容易看到的高电压（kV）行波管的电源的故障机制，从而提供更长的寿命。此外，这种固态系统提供能力接近即时的 - 没有热身，更长的检测范围，提高目标识别。

从一开始，使这些系统优势的设想，Cree公司的两个新的GaN RF晶体管已设计，以提供最高的功率和效率住在一个小的封装尺寸。据称，所述第一设备（CGHV59350，350W /50Ω全匹配的GaN HEMT）是市场上的最高功率的C波段晶体管，而第二个（对CGHV31500F，一个500W /50Ω的GaN HEMT）是highest-功率S波段晶体管完全匹配到50Ω的单端​​封装的尺寸。这两款器件都被证明在IEEE MTT-S国际微波研讨会（IMS 2015）在亚利桑那州凤凰城，美国（5月17-21日）。

图片：Cree的CGHV59350和CGHV31500F的GaN HEMT。

“Cree的新的C波段和S波段的产品打破电力纪录住在一个小的封装50ΩGaN功率和效率的表现，”汤姆称德克尔，销售和市场营销，Cree公司射频主任。 “这种高效的动力使晶体管来实现需要用于国防，天气和空中交通管制雷达多千瓦功率放大器的组合的经济，”他补充道。 “如果我们认为值得的动力输出相对射频到50Ω封装领域的人物，Cree的350W C波段器件击败最接近商业化的GaN的竞争对手了约3.5倍。使用功德的数字相同，Cree的500W S-带内设备提高了45％的酒吧比其他商业S波段的产品。“

提供脉冲饱和功率性能通常比400W越大，CGHV59350最常用于在陆基防御和多普勒气象雷达系统。该50Ω，完全匹配的氮化镓HEMT工作在5.2-5.9GHz带宽和具有60％的典型漏极效率。

典型的饱和RF脉冲功率700W提供的CGHV31500F提供空中交通管制雷达系统。该50Ω，完全匹配的氮化镓HEMT工作在2.7-3.1GHz带宽和具有12分贝功率增益。

两款器件均封装在一个行业标准0.7“×0.9”陶瓷/金属法兰封装。