飞思卡尔半导体日前宣布推出用于蜂窝基站的第一氮化镓（GaN）射频功率晶体管

飞思卡尔半导体（NYSE：FSL）日前宣布推出用于蜂窝基站的第一氮化镓（GaN）射频功率晶体管。新A2G22S160-01S提供的30瓦和40瓦的放大器为无线基础设施应用的卓越性能，并表示第一的是什么计划成为Airfast家庭氮化镓晶体管的广泛产品组合的手机市场。

作为市场领导者，射频功率晶体管，飞思卡尔加入氮化镓RF解决方案为客户提供世界一流的产品，为无线基础设施市场的扩展的产品组合。该声明是仅仅几个月之后，公司引进了MMRF5014H的 - 飞思卡尔首款用于军事和工业应用的GaN RF功率晶体管，继续引领行业的100 W级氮化镓晶体管热和宽带RF性能。

“飞思卡尔正在推动的GaN从利基市场到主流应用，如蜂窝基础设施的转型，”保罗·哈特，飞思卡尔RF业务的高级副总裁兼总经理。 “时间是正确的交付氮化镓的解决方案，我们的极其广泛的电信客户群。除了利用A2G22S160-01S“优异的性能，我们的手机用户可以期待利用飞思卡尔的大批量生产能力及全球客户支持”。

氮化镓提供更高的能量转换效率，更快的开关速度和更大的功率密度比硅，从而可以创建功率晶体管的尺寸，并且胜过传统器件小得多。这是可能由于带隙宽，较高的临界电场和非常高的电子迁移率特性的GaN提供。虽然氮化镓移民已经在过去的成本过高，最近的商业和技术进步推动的制造成本更低。经过较长时间的领先半导体制造，飞思卡尔正在释放氮化镓的优势，为一些世界上最大的市场，使氮化镓功率放大器大规模部署的主流商用基站市场。

飞思卡尔Airfast系列射频功率产品涵盖无线蜂窝频谱从600 MHz到3.8 GHz的整个范围内，有多个半导体技术选择。该A2G22S160-01S提供先进设备，最先进的性能，频率范围为1800兆赫和2200兆赫之间。例如，在一个40瓦的Doherty双向不对称放大器采用一个A2G22S160-01S在峰化路径的输送路径和两个，最大输出功率为56.2 dBm的。与8分贝输出回退（OBO），增益为15.4分贝，效率是56.7％左右。相邻信道功率（ACP）为-55 dBc的数字预失真（DPD）时，由两个20MHz的LTE运营商提供合计40 MHz载波带宽驱动。

可用性

该A2G22S160-01S氮化镓射频功率晶体管现已投入生产，参考设计和其它支持解决方案提供。对于定价或其他信息，请联系当地的飞思卡尔销售办事处。