安森美半导体推出全系列双倍数据速率(DDR)终端稳压器

安森美半导体推出一系列新的高性能器件进一步加强了低压降(LDO)线性稳压器产品阵容，以支持双倍数据速率(DDR)内存。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采用内置功率MOSFET，针对在电脑、数据网络、工业和手持消费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM内存、伺服器、路由器、智能手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和个人电脑/笔记本电脑主机板。还提供经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位系统、信息娱乐和无线网络及蓝牙通信。

这些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 标准，终端电压(V_TT)低至500毫伏(mV)。当与DDR4和LPDDR4使用时，每一种的主动源电流和汲电流能力达2安培(A)。此外，当使用DDR4 和LPDDR4时，NCP51145可支持高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别提供2 A和1.5 A源汲电流，而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支持远程感测。这些高度集成的DDR终端LDO的优势还包括软启动、片上热关断和(对一些器件) 欠压锁定机制。每一款器件都有高速差分放大器，对线性电压和负载电流瞬变提供超快响应。所有这些器件还都兼容DDR1 和DDR2 ，易于升级到更新的DDR内存。工作温度范围指定为-40 °C 至 +125 °C，可扩展至+150 °C用于汽车版本。

安森美半导体集成电路产品副总裁Simon Keeton说：“DDR内存广泛扩展至许多非传统产品如连接和物联网(IoT)促使增强的数据通信。我们现为整个DDR市场提供全面的变革器件，适用于新设计项目，以及直接替代现有器件；但具更高性能以支持将来内存升级。NCP51400和NCP51510是很先进的集成电路(IC)，能支持下一代DDR技术，而NCP51145结合卓越的性能及有吸引力的价格。此外，我们提供通过汽车认证(AEC-Q100)的版本，使最新的信息娱乐和安全系统能跟上新车客户期望的数据要求。

封装和定价

扩展了的15个NCP51xxx LDO 方案提供3 种不同的封装，包括8只引脚的SOIC-EP、8只引脚2x2 mm的DFN和10只引脚3x3 mm的DFN封装。每3,000片批量的单价范围从0.07美元至0.195美元。