“sureCore带来了其首款超低功耗SRAM IP,支持0．7－1．2V的宽工作电压范围，单端口SRAM拥有动态功耗节省超过目前的商业产品的50％。
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sureCore有限公司，低功耗SRAM IP公司，今天宣布其第一，超低功耗的直接商业可用性，嵌入式SRAM IP。新的，经过硅验证的28纳米生产FDSOI设计目标，要求电池寿命长最小运行应用程序和待机功耗性能。
支持0.7-1.2V的宽工作电压范围，单端口SRAM拥有动态功耗节省超过目前的商业产品的50％。新的IP也减少静态功耗高达35％，只有温和10％面积损失。
“随着半导体行业涉及许多不同的前沿应用范围从身打扮到物联网到云计算，甚至汽车，面临的主要挑战创造具有创新和商业竞争力的产品将是功耗，散热和电池寿命。sureCore致力于最大限度地降低动态和静态功耗，以帮助实现这些技术成果的承诺，解释说：“保罗·威尔斯，sureCore CEO。
sureCore的28nm，超低功耗，FDSOI SRAM IP是一个路线图，包括散装CMOS，超低功耗SRAM今年晚些时候推出采用40nm的第一款产品。工作也正在进行一个28纳米，批量CMOS解决方案。
“由于迁移成本，仍然有相当大的创新发生在相对成熟的生产节点，说：”sureCore的主席，科特迪瓦纪尧姆Eyssautier说道。 “这些节点预计将有延长寿命和战略上，我们认为，重要的是为这些节点突破性的解决方案，所以这是我们集中我们的路线图。”
嵌入式存储器已经变得越来越普遍在现代的SoC设计，支持运行大量的软件应用程序的多个处理器。从历史上看，然而，SRAM已经证明非常耗电。 sureCore的超低功耗SRAM大幅通过其专利的一套先进的电路设计技术减少动态和静态功耗。
sureCore的SRAM IP技术是可穿戴电子与物联网（IOT）应用中延长电池寿命是至关重要的开发商特别有吸引力。该IP还提供了网络空间，电力和散热是关键的考虑因素相当大的价值
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