CISSOID 推出 60A /1200V 高温电源模块 PLUTO

比利时，蒙-圣吉贝尔，2015年6月3日——高温半导体解决方案的领导者 CISSOID 公司宣布推出高温电源模块CHT-PLUTO，它可在-55～225℃的范围内实现可靠的运行，并输出高达60A的电流。CHT-PLUTO 是一种双碳化硅 MOSFET 模块，主要应用于在低端和高端均可持续供应 30 A 电流的半桥。低端和高端的两个独立开关可并联使用，输出总电流为 60 A，击穿电压超过 1200 V，当 V_GS=20 V 时，导通电阻在 25℃和 225℃的温度下分别低至 23 mΩ 和 50 mΩ。

由于碳化硅晶体管的开关损耗较低，故而可实现较高的工作频率。CHT-PLUTO 还可嵌入正向电压 V_f 较低的续流肖特基二极管，它可以在死区时间降低功耗。每个开关均可采用 -5/+20 V的标准栅电压进行控制。

CHT-PLUTO 采用密封的 8 引脚专用“H8MA”金属封装，其尺寸规格为 18mm x 29mm （不包括安装耳）。器件与封装外壳之间采用电气隔离。该模块的特点是每个 30 A 通道的结面至外壳热阻都低至 0.7℃/W。另外，两个附加的源连接器则可轻松地将模块牢牢连接到栅极驱动器。

CHT-PLUTO 适合为功率转换器、逆变器或电机驱动器等应用构建半桥。当将两个开关并联时，CHT-PLUTO 的输出电流可达 60 A，同时热阻 (Rth) 低至 0.35℃/W。还可将几个模块并联，以获得更高的输出电流。

CISSOID公司最近已发布的高温栅极驱动器 HADES^®v2 是驱动 CHT-PLUTO 的理想器件。HADES®v2 的峰值电流和 dV/dT 耐用性均较高，因此可实现快速切换，降低模块功耗。借助这些优化功能，电源设计人员可以提高工作频率，为无源元件（输入/输出滤波器、去耦电容器）选择下限值，从而在这些高成本的元件上节约大量成本，并减小系统的体积和重量。CHT-PLUTO 与 HADES^®v2 的结合打开了使用结构紧凑的、高度集成的功率转换器/电机驱动器的大门，这些功率转换器/电机驱动器的额定功率从几千瓦到几十千瓦不等，在高达 225℃的温度下也可实现可靠运行。

CISSOID公司的首席技术官 Pierre Delatte 表示： “CHT-PLUTO 是我们为高温/高压电源开关推出的第二款产品。继 2013 年推出 10A/1200V 单极开关 CHT-NEPTUNE 之后，CHT-PLUTO 又为我们带来了额定电流更高且同样支持极端环境（从-55℃到225℃）的半桥模块。经过大量的研发努力，现在，我们可以自豪地推出这款能够战胜高温挑战，实现可靠运行的 CHT-PLUTO 产品。CHT-PLUTO 真正满足了系统设计师对 CISSOID 产品的期望：让 CISSOID 做到言行如一。该模块在不降低原有解决方案耐用性的条件下，为高温大功率应用带来了新的可能。”