“Diodes为广泛的分立，逻辑及模拟半导体市场的全球领先制造商和高品质的特殊应用标准产品和供应商，今天宣布推出DMC1028UFDB。
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Diodes公司（纳斯达克股票代码：DIOD），为广泛的分立，逻辑及模拟半导体市场的全球领先制造商和高品质的特殊应用标准产品和供应商，今天宣布推出DMC1028UFDB。旨在提高的DC-DC变换器的功率密度，这种互补MOSFET对集成了一个N沟道MOSFET，并在单DFN2020封装的P沟道MOSFET。该设计是专为点的负载（POL）转换器，降压3.3V至1V的核心电压供应的ASIC。目标应用是以太网网络控制器，在这种设备中使用的路由器，网络接口控制器（NIC）的处理器，交换机，数字用户线（DSL）适配器，服务器和机顶盒（STB）等。
降压转换器采用一个单独的PWM控制器实现和外部MOSFET提高设计的灵活性，并为从开关元件分布式散热。在DMC1028UFDB MOSFET的性能参数进行了优化，以最大限度地效率3.3V至1V的降压转换器，同时驱动负载高达3A。这些包括：一个低19mOhm的Rds（on）在VGS = 3.3V的低侧N沟道MOSFET，这主要是在三分之二的开关周期;和低栅极电荷5Nc的源一量（Qg）在VGS = 3.3V为P沟道MOSFET，以最小化开关损耗。
所述DMC1028UFDB使用P沟道MOSFET，以实现高侧开关元件，从而简化了设计并降低相比的N沟道MOSFET，需要电荷泵的元件数量。整体的功率密度是通过组合P沟道和N沟道器件，作为一个互补MOSFET对，在一个单一的DFN2020包相对于个体的MOSFET在相同的空间包一倍。
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