“东芝公司今天宣布，它已经开发出使用更少的功耗比目前的主流技术基于65nm逻辑制程闪存的嵌入式处理和单层多晶硅非易失性存储器（NVM）工艺基于130纳米逻辑和模拟电源的过程。
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东芝公司（东京证券交易所：6502）今天宣布，它已经开发出使用更少的功耗比目前的主流技术基于65nm逻辑制程闪存的嵌入式处理和单层多晶硅非易失性存储器（NVM）工艺基于130纳米逻辑和模拟电源的过程。应用优化过程中不同的应用将使东芝公司扩大其产品阵容等方面的单片机，无线通信芯片，电机控制器驱动器和电源IC。
130纳米-NVM和65nm-闪存样品供货定于2015年第四季度和2016年的第二季度，分别。
物联网市场是看到了低功耗领域包括可穿戴和医疗相关设备的需求强劲。作为响应，东芝已采用的SST的[2]第三代的SuperFlash电池技术，并结合其自身的65nm逻辑工艺技术。该公司还开发了嵌入式超低功耗闪存逻辑工艺精细调谐电路和制造工艺。微控制器的消费和工业应用的应用程序可以降低与目前的主流技术功耗降至约60％。
继第一系列微控制器，东芝计划推出样品BLE（低功耗蓝牙）的产品，短距离无线技术，在财政年度2016年该公司还计划申请的65nm工艺其无线通信IC产品系列，可以优化利用的低功耗特性，包括NFC（近场通信）控制器和非接触式卡。
除了低功耗的优点，该方法的技术有助于缩短开发时间，作为应用软件可以很容易地写入和重写在开发过程中闪烁存储器。
通过在设备提供超低功耗，以促进和逻辑电路和模拟电路技术的专业闪存外围电路技术的进一步开发工程的进展，东芝公司将在满足低功耗应用的需求持续增长。公司的宗旨是降低功耗的整个系统，针对50μA/ MHz工作，并开发创新产品为物联网。
在应用中显著降低成本是一个问题，东芝公司已开发出采用YMC的[3]单聚MTP（多次可编程）细胞东芝的130nm逻辑工艺技术的嵌入式NVM工艺。
同时限制在掩模图案的光刻增加步骤以三个或更少，甚至没有施加的MTP规格为写入时间提高了新工艺的性能。
NVM和模拟电路被嵌入在单个芯片可以掺入由一个多芯片系统通常执行多种功能上。这减少端子的数量，实现更小的封装。
通过使用MTP来调整输出精度，东芝将扩大其产品阵容的领域需要更高的精度是必不可少的，如电源管理IC。
注意事项：
[1] NVM：非易失性存储器。
[2] SST：硅存储技术。 Microchip的技术公司的全资子公司
[3] YMC Inc .:的产量微电子公司。一位台湾IP发展公司。
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