Sifotonics的10G－PON用1577nm APD指标有突破

关键词：Sifotonics　10G－PON 1577nm APD指标

时间：2015-08-17 13:34:41 来源：中电网

“Sifotonics最近在10G PON 1577nm APD产品的指标有突破，室温和高温灵敏度比传统III-V产品好0．5-1dB，已送样给国内外大客户认证。该产品将大批量用于下一代光纤到户10G PON设备中

”

Sifotonics最近在10G PON 1577nm APD产品的指标有突破，室温和高温灵敏度比传统III-V产品好0.5-1dB，已送样给国内外大客户认证。该产品将大批量用于下一代光纤到户10G PON设备中。

Sifotonics作为硅光电子技术领域的国际领先公司，致力于研发Ge/Si 材料，创始于麻省理工。公司投资的关键设备达世界领先水平，保证其批量生产能力。Sifotonics从成立之初就致力于硅光电子的集成，作为硅基光电集成芯片技术的先驱者，公司开发了大规模光电集成芯片所需的关键技术，拥有十几项美国专利。SiFotonics的硅光子器件的性能一直在稳定提升， 10G和25G APD凭借更高的雪崩增益带宽积，其关键的灵敏度指标已开始超越传统InP工艺的水平。10G APD产品的突破性进展，表明硅光子领域商用的时代已开始。

声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮箱： editors@eccn.com。

分享到：

[上一篇：] II－VI公司采用高可靠性激光二极管技术推出高功率（1W）980nm泵激光器模块

[下一篇：] RS推出最新STM32F7微控制器