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EPC推出低成本高功率密度eGaN FET,用于高频功率变换

关键词:El Segundo EP03C29 高功率密度eGaN功率晶体管

时间:2015-08-17 14:55:02      来源:中电网

El Segundo增强型氮化镓上硅(的eGaN)功率场效应晶体管(FET)的电源管理应用程序(EPC),推出了EP03C29高功率密度的eGaN功率晶体管。

高效的电源转换公司El Segundo的,CA,USA,这使得增强型氮化镓上硅(的eGaN)功率场效应晶体管(FET)的电源管理应用程序(EPC),推出了EPC2039高功率密度的eGaN功率晶体管。

该EPC2039是一个非常小的1.35毫米x1.35毫米(1.82平方毫米)80VDS,6.8A功率与最大的RDS(on)22MΩ具有5V的施加到栅晶体管。 EPC说,GaN功率晶体管提供高性能功率转换系统,由于在一个非常小的封装高开关功能。 “这使设计人员能够提高他们的设计的输出功率不增加需要做的空间,”史蒂夫Colino,副总裁全球销售及市场推广说。

该EPC2039主要用于高频功率转换应用,如同步整流,D类音频,高电压降压转换器,无线充电和脉冲功率(LIDAR)的应用而设计。新兴激光雷达应用包括无人驾驶汽车和增强现实。

定价为EPC2039功率晶体管是0.78美元每1000单位数量。

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