东芝发布新一代BiCS FLASH全球首款256Gb、48层堆叠闪存

东芝推出全球首款^注148层3D堆叠式结构闪存^注2，该闪存容量达到256Gb（32GB），同时采用了行业领先的三阶存储单元（TLC）技术。这款全新闪存适用于各种产品应用，包括消费级固态硬盘(SSD)、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。据悉，样品将于9月开始发货。

东芝BiCS FLASH^TM采用目前世界最尖端的48层堆叠工艺，超越主流2D NAND闪存的容量，同时提高了可写入/擦除次数及可靠性，并提高了写入速度。

自2007年在全球首次推出了3D堆叠式结构闪存以来^注3，东芝一直致力于优化大批量生产的研发。为更好地满足快速增长的闪存市场需求，东芝将瞄准大容量、小型化的应用领域，积极推动3D堆叠式结构闪存，推出SSD等产品组合。

东芝于1987年在世界上最早开发出NAND闪存，作为闪存世界的缔造者，一直秉承专业的精神，为消费者提供高速、优质的专业闪存体验。目前，这一产品在东芝四日市工厂开始生产，预计于2016年上半年完工的新工厂也将生产该产品。

注1：据东芝调查。

注2：一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存（存储单元位于硅基板上），极大地提高了密度。

注3：据2007年6月12日东芝发布资料
* BiCS FLASH^TM是东芝公司的商标。