ST的槽栅结构低压MOSFETsSTripFET F7系列将新增60V的产品线

ST的槽栅结构低压MOSFETsSTripFET™ F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流－直流（DC/DC）电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。

STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构（trench-gate structure），实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得优异的品质因数（R_DS(ON) x Q_g）。此外，本征体二极管的恢复电荷（recovery charge）很低，有助于提高开关性能。高雪崩耐量确保在恶劣条件下保持性能稳健，反向传输电容对输入电容（C_rss/C_iss）的比值低，有助于强化抗电磁干扰（EMI immunity）。

意法半导体的60V STripFET F7 MOSFET是为同步整流（synchronous rectification）电路定制，能够以更少的并联器件达到最大目标电流，以此提高功率密度、降低元器件使用数量。该系列共有12款产品，覆盖了所有工业标准电源，最大输出电流从90A到260A（在Tc=25°C下，硅限制连续漏极电流）。新产品提供多个封装选择，包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D²PAK、TO-220、TO-220FP、双引脚或六引脚H²PAK。