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ST推出业内最高频率、最宽带宽的集成化微波射频合成器

关键词:集成微波宽带射频合成器 STuW81300单片 振荡器 稳压器

时间:2016-01-28 11:01:33      来源:中电网

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布推出新款的集成微波宽带射频合成器STuW81300单片,可覆盖1.925GHz至16GHz的射频频段,创下IC市场上最宽频带和最高频率的记录。与基于III-V技术的低集成度的传统微波射频合成器相比,STuW81300采用意法半导体的具有业界领先性能的BiCMOSSiGe集成制造工艺,可降低组件成本,实现经济效益更高的多用途射频架构。

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布推出新款的集成微波宽带射频合成器STuW81300单片,可覆盖1.925GHz至16GHz的射频频段,创下IC市场上最宽频带和最高频率的记录。与基于III-V技术的低集成度的传统微波射频合成器相比,STuW81300采用意法半导体的具有业界领先性能的BiCMOSSiGe集成制造工艺,可降低组件成本,实现经济效益更高的多用途射频架构。

STuW81300整合了N型分频锁相环(PLL,phase-locked-loop)内核,以及低器噪宽带压控振荡器(VCO,voltage-controlled oscillators)和稳压器。此外,STuW81300还提供各种可编程硬件选项,以满足最新和未来射频/微波应用需求,其中包括射频通信、卫星通信、基站、测试测量设备。

为支撑微波应用市场迅猛扩张,微波频段(6GHz以上)的使用规模正在稳步增长,市场需要成本结构优化的能够开拓新市场的新一代射频设备。将分立的砷化镓(GaAs,gallium arsenide)架构集成到宽带SiGe芯片内,可满足这个需求。

STuW81300的主要技术特性有:

最宽的工作频段,1.925GHz-16GHz(可分配给两个射频输出)
内部宽带匹配射频输出功率:+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz
倍频输出基本VCO抑制高于20dB
-227dBc/Hz归一化带内相噪底
VCO相位噪声(6.0GHz):-131dBc/Hz @ 1MHz频偏
噪底(6.0GHz):-158dBc/Hz
VCO相位噪声(12.0GHz):-125dBc/Hz @ 1MHz频偏
噪底(12.0GHz):-154dBc/Hz
0.13ps典型RMS频率抖动

作为意法半导体的获得市场成功的STW81200和STW8110x产品系列的升级换代产品,新射频合成器提供高性能和高灵活性,可以同时在同一电路板设计上支持多频带和多射频标准。例如在卫星通信应用中,STuW81300可直接用作本机振荡器,在电路板连接一个倍频器,可调制解调Ku频段信号或者Ka频段信号。在其它应用中,STuW81300还能完全驱动外部压控振荡器(例如GaAs)。

5V或3.6V非稳压单电源让STW81300在市场上独一无二,结合优化的功耗和性能,使其应用范围从传统市电供电基础设施扩至低功耗应用。

意法半导体目前已开始提供STuW81300测试样片,并获得多家客户采用,预计2016将实现量产。意法半导体还可提供评估套件和6x6mm四边扁平封装的样片。评估工具包括STWPLLSim软件工具,让开发人员能够按照项目实际要求快速且准确地修改应用设计。更多详情可浏览:www.st.com/stuw81300-pr

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