瑞萨电子推出第8代IGBT

加州圣塔克拉拉 - （美国商业资讯） - 瑞萨电子株式会社（TSE：6723），先进半导体解决方案的领先供应商，今天宣布推出六款新的产品在绝缘栅双极晶体管的第8代G8H系列的可用性（IGBT）的阵容，最大限度地减少在功率调节器的太阳能发电系统的转换损耗，降低不间断电源（UPS）系统的逆变器应用。六个新的产品版本，额定功率为650 V / 40 A，50 A，75 A，并在1250 V / 25 A，40 A，75 A，被释放。瑞萨也实现了业界首款TO-247封装加为1,250V IGBT具有内置二极管，它提供了系统制造商更大的电路配置的灵活性。

凭借其在电源转换器领域设计低损耗的IGBT的专业知识，瑞萨电子优化了8代的IGBT，在这个过程中采用结构独特的沟槽栅配置（注1）。相比以往的IGBT代，这些装置提供了更快的开关性能，一个基本特征到IGBT性能指标，同时，也通过降低饱和电压降低传导损耗（VCE（SAT），注2）。此外，对于第8代设备的性能指数（注3）已被多达30％相比前第7代的IGBT的提高，有助于降低对用户系统的功率损耗和更好的整体性能。这些更新是在电力行业的主要市场集中在光伏（PV）逆变器，UPS，工业电机驱动器和功率因数校正（PFC）是必不可少的。

在太阳能发电系统中，不可避免地存在的功率损失的一些量在由太阳能电池板从太阳光产生的直流（DC）转换为交流电（AC）通过穿过反相器电路。由于大多数这种功率损耗的所使用的功率的设备内发生，降低IGBT功率损失对用户系统的发电性能有直接的积极影响。同样，对于在服务器机房和数据中心的UPS系统，电力必须不断地通过一功率转换器电路，以监测是否电源已经中断，这意味着只要系统操作稳定的功率损耗产生。 IGBT性能的关键是减少这种功率损耗。

新的8代IGBT的主要特点是：

（1）开关速度更快，业界领先的超低功耗特性适合于逆变电路
瑞萨利用其长期低损耗IGBT的设计专长，开发独特的沟槽栅配置。采用先进设备，最先进的工艺技术，新的IGBT可以实现既快速开关性能和低饱和电压（VCE（SAT））的特点，这决定IGBT器件的性能指标。作为结果，性能指数高达30％的提高。此外，瑞萨分析有助于逆变电路中的功率损耗的元素和设计新设备，以减少传导和开关损耗。这大大降低了IGBT功率损耗，占比功率转换器电路的总功率损耗的一半以上。

（2）淘汰外部得益于低开关噪声门极电阻
在IGBT的，出现了噪声特性和开关速度之间的折衷。第8代IGBT的开关产生，使系统制造商，以消除以前需要降低噪音栅极电阻时大幅减少栅噪声。这有助于减小的元件数量和更紧凑的设计。

（3）TO-247封装具有优异的散热性;操作在高温下保证高达175℃
的TO-247封装的底面由金属形成，使由IGBT功率损耗所产生的热量被直接输送到对优异的散热性能的封装外部。这些新器件是具有高温度高达175℃兼容，因此它们可以在易于升温，由于大的功率电平的发送位置使用。这有助于提高用户的系统的性能和可靠性。

（4）Industry's-初1250 V的IGBT具有内置二极管可用一个TO-247加离散软件包版本75的电流频带额定在100℃下
此前，在75电流带设备普遍并入到使用大包的模块，由于考虑因素，如发热，噪音和运行质量。随着第8代IGBT技术，实现了低损耗和更小的芯片尺寸，瑞萨实现1,250 V IGBT具有内置二极管离散TO-247封装加上作为同行业之首。通过使用在75的电流频带额定在100℃离散封装的器件，系统制造商可以享受增加的电路配置的灵活性，只有分立器件提供，并且可以容易地增加系统的功率容量。

新的8代G8H系列设备的快速切换性能可以很好的利用，即使在比逆变电路等应用，在转换器升压电路，提供出色的性能，例如。

价格及供货情况

第8代IGBT的样品已可提供。系统制造商可以选择最逆变电路类型和所需的输出能力相匹配的产品版本。定价每个产品版本而异，例如，对RBN50H65T1GPQ-A0 650 V / 50 A的产品版本样品定价为每单位$ 3.00。批量生产计划于2016年9月开始，预计到2017年三月达到每月60万台的体积（定价和供货情况如有变更，恕不另行通知。）