“日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品,为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
”日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品,为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
今天推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造,反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压,有助于避免共通和热过应力造成的失效,在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性,例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
21A SiHx21N65EF有5种封装形式,28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有两种封装。这些MOSFET的导通电阻分别只有157mΩ、102mΩ和95mΩ,栅极电荷也非常低,使得器件的传导损耗和开关损耗都极低,在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/Silver PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、外置式电动汽车(EV)充电桩等高功率、高性能开关应用,以及LED、高强度气体放电(HID)和荧光灯镇流器照明中起到节能的作用。
器件可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲,确保限值通过100% UIS测试。MOSFET符合RoHS,无卤素。
器件规格表:
编号 |
RDS(ON) (mW) @ 10 V (最大值) |
Qg (nC) |
ID (A) |
Qrr (mC) @ |
封装 |
SiHA21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
Thin-lead TO-220 FullPAK |
SiHB21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
D2PAK (TO-263) |
SiHG21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
TO-247AC |
SiHH21N65EF |
157 |
68 |
21 |
0.9 |
PowerPAK® 8x8 |
SiHP21N65EF |
180 |
71 |
21 |
1.2 |
TO-220AB |
SiHG28N65EF |
102 |
97 |
28 |
1.1 |
TO-247AC |
SiHP28N65EF |
102 |
97 |
28 |
1.1 |
TO-220AB |
SiHG33N65EF |
95 |
114 |
33 |
1.18 |
TO-247AC |
新的650V EF系列MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周到十八周。
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