格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频技术

格罗方德半导体（GlobalFoundries）于今日宣布针对硅锗（SiGe）高性能技术组合，推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方案的客户而打造，适用于汽车雷达、卫星通信、5G毫米波基站等其他无线或有线通信网络的应用。

格罗方德半导体的硅锗 8XP技术是该公司130nm高性能硅锗系列产品的最新成员，它可协助客户制定射频解决方案，以在更远距离实现更快的数据吞吐量，同时耗能更少。这项先进技术大幅提升了异质结双极晶体管（HBT）的性能、降低噪声指数、改善信号完整性并将硅锗 8XP的最大振荡频率（Fmax）增加至340GHz，相比以前的硅锗 8HP提升了25%。
 
运行于毫米波频段的高带宽通信系统带来了复杂性和高性能要求，因此急切需要性能更优的芯片解决方案。除了依靠硅锗技术获得高性能的各种应用外（如：通信基站设施、回程信号隧道、卫星和光纤网络），高性能硅锗解决方案还可在5G智能手机的射频前端以及其他毫米波相控阵消费应用领域迎来发展良机。
 
格罗方德半导体射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士认为：“5G网络将促进射频SoC设计实现新一代的创新，以支持高带宽的数据传输并满足对更快数据传输和更低延迟率应用的需求。格罗方德的硅锗 8HP和8XP技术可以有效平衡性能、功率和效率，助力客户在下一代移动和硬件设施上开发出差异化的射频解决方案。”
 
Anokiwave的首席执行官Robert Donahue表示：“格罗方德的领先硅锗技术和全面的平台开发工具包能使我们的开发设计人员快速开发出性能更优、更具差异化的毫米波解决方案。利用硅锗 8XP技术，我们可以推出面向未来、更高性能的毫米波解决方案，以帮助我们的供应商随时随地确保稳定的连接性，同时从容应对呈爆炸式激增的海量移动数据流。”