“Qorvo今天宣布,推出两款全新的功率放大器(PA),包括可以在内部匹配50Ω的行业首款500W L频段PA和一款450W S频段PA。
”Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布,推出两款全新的功率放大器(PA),包括可以在内部匹配50Ω的行业首款500W L频段PA和一款450W S频段PA。这些高功率设备经过优化可用于国防和民用雷达系统,其功能经过设计可缩短并简化系统部署。
全新QPD1003采用Qorvo高性能氮化镓(GaN)技术,可满足在1.2至1.4 GHz频率范围内工作的有源电子扫描阵列(AESA)雷达等高功率相位阵列的性能需求。这些系统要求PA以最大效率工作,从而在严苛的环境条件下降低热量生成。全新QPD1003可通过创新应用高效的碳化硅基氮化镓(SiC)技术来应对这些要求。
Qorvo高性能解决方案事业部总经理Roger Hall表示:“这是首款也是唯一一款用于AESA雷达的紧凑型、内部匹配的高功率L频段PA。其突破性技术将为客户带来可观的成本优势和性能提升。”
除了QPD1003 L频段PA,Qorvo还发布了一款450W S频段PA,设计用于3.1至3.5 GHz S频段雷达系统。这两款器件相对传统GaN晶体管而言,都具备尺寸更小和实施简单的优势。它们可以通过一个匹配设计覆盖多个频段,从而减少用于数千瓦阵列时的电路占位面积和总体复杂性。此外,降低功耗还可降低系统的冷却需求,从而进一步减少系统操作。
这两款全新PA支持脉冲和线性操作,采用适合国防和民用雷达应用的气腔封装。下表简要介绍了这两款PA的特性。
欲了解有关Qorvo任务关键型应用解决方案的更多信息,请访问:www.qorvo.com/defense。
Qorvo是国防和有线行业的领先GaN RF供应商*。自1999年起,Qorvo就一直在推动GaN研究和创新,提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了国防生产法标题III的GaN on SiC计划,是获得国防制造电子机构认证的1A类可信来源。公司还是唯一一家达到制造成熟度(MRL)9级的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新(从直流到Ka频段),提供可靠的性能、低维护和长运行寿命。
*Strategy Analytics 2016
Product 产品 |
Freq (GHz) 频率 (GHz) |
Vd(V) Vd(V) |
Psat (W) Psat (W) |
PAE (%) PAE (%) |
LS Gain (dB) LS 增益 (dB) |
QPD1003 |
1.2-1.4 |
50 |
500 |
62 |
17 |
QPD1017 |
3.1-3.5 |
50 |
450 |
57 |
13 |
分享到:
猜你喜欢