三菱电机开始发售 功率半导体“SiC－SBD”

为降低电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献

三菱电机株式会社此次推出采用了SiC^※1的功率半导体新产品“SiC-SBD^※2”，新产品为有效降低用于空调及太阳能发电中的家电・工业用电源系统的耗电量、缩小其体积做出了贡献。该产品将于3月1日起陆续发售。

※1  Silicon Carbide：碳化硅
※2　SchottkyBarrier Diode：肖特基势垒二极管



新产品的特点

1．通过采用SiC，为降低耗电量、缩小体积做出贡献
・通过使用SiC大幅降低开关损耗，降低约21％的电力损耗^※3
・实现高速开关，为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
※3　与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFC^TM”上搭载的Si（硅）二极管相比

2．通过采用JBS结构，提高可靠性
・采用pn结与肖特基结相结合的JBS^※4结构
・通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性
※4　Junction Barrier Schottky

发售概要

销售目标

近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET^※5的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。

在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。搭载在电源系统中的“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。

本产品的开发部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

※5　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管

主要规格

※6　8.3msec, sine wave
环保考虑
符合RoHS^※7指令（2011/65/EU）。
※7　Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment